ソニーは6月11日、シリコン基板の裏面側から光を照射することで、約2倍の感度や低ノイズなどの撮像特性を大幅に向上させた、裏面照射型CMOSイメージセンサーの試作開発に成功したと発表した。

　裏面照射型に最適化した独自のフォトダイオード構造と、オンチップレンズを新たに開発。同じ画素サイズの同社従来型画素構造のCMOSイメージセンサーと比較して、感度＋6dBの改善およびノイズ、暗電流、欠陥画素を低減し、暗時ランダムノイズの?2dBの改善を実現した。また、高精度アライメント技術により、混色の課題も克服した。

　裏面照射型では、配線層の多層化や自由なトランジスタ構成が可能となるため、さらなる高速化、高ダイナミックレンジ化など、さまざまな展開が期待できる。今後、この裏面照射型CMOSイメージセンサーにより、民生用のデジタルビデオカメラやデジタルスチルカメラの高画質化の実現に努める。画素サイズは1.75um角、有効画素数500万画素、撮影フレーム数は60フレーム／秒。