エプソン、1000億回書き換え可能な次世代メモリFeRAMの開発に成功
セイコーエプソン（エプソン、花岡清二社長）は、次世代メモリFeRAM（強誘電体メモリ）の書き換え回数を1000億回と従来製品の10倍まで向上させることに成功した発表した。FeRAMはEEPROM（データ消去や書き込み可能なROM）に比べ10万倍以上もの回数の書き換えが可能で、動作速度も100nsecと10万倍以上。そのうえ消費電力が1万5000分の1程度で済むという特徴をもつ次世代メモリ。
1000億回の書き換え回数は、3ミリ秒に1回の頻度でデータ更新を行っても10年間連続で使用できるレベル。こうした高い耐久性をもちながら消費電力がきわめて低いという特徴を活かし、モバイル機器への組み込み用途や、ICカードなどでの需要を狙う。08年3月までには製品化する方針。今後の課題として同社は「大容量化が進めば、一般向けメモリカード製品への応用も可能」（広報）としている。
